Transistors. Page 110 sur 114. Avtronic

Transistor STP5NK80Z

4.48€ TTC

42 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 4.3A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 4.3A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 1.9 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP5NK80ZFP

4.03€ TTC

97 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 4.3A. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 4.3A. Puissance: 30W. Résistance Rds: 1.9 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP60NF06

3.70€ TTC

67 En stock

Transistor STP60NF06 N-MOS 60V 60A 110W 0.014R(42A). STripFETII POWER MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. td(on):16nS. td(off):43nS (30A). Constructeur: ST. Boîtier: TO-220AB. VGS(th) 2...4V. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP60NF06L

3.53€ TTC

134 En stock

Transistor STP60NF06L N-MOS 60V 60A 110W 0.014R(42A). STripFETII POWER MOSFET. td(on):35nS. td(off):55nS (30A). Constructeur: ST. Boîtier: TO-220 LowGataCharg. VGS(th) 1...2.5V. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP62NS04Z

5.15€ TTC

13 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 62A. Marquage boîtier: P62NS04Z. Boîtier: TO-220. Id(@25ºC): 62A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 12.5 milliOhms. MESH OVERLAY Power MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP65NF06

5.15€ TTC

45 En stock

Transistor STP65NF06 N-MOS 60V 60A/240Ap. 110W 0.0115R(42A). STripFETII Power MOSFET. Fast switch. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 42 A. Rds (Ohms): 0.011

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Tarifs dégressifs

Transistor STP6NK60Z

6.33€ TTC

9 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 6A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 6A. Puissance: 104W. Résistance Rds: 1.2 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP6NK60ZFP

4.65€ TTC

69 En stock

Transistor STP6NK60ZFP N-MOS+Z 600V 6A/24Ap. 32W 1R(3.8A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.8 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP6NK90Z

6.72€ TTC

49 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 900V 5.8A. Référence d'origine constructeur: STP6NK90Z. Marquage boîtier: P6NK90Z. Boîtier: TO-220. Vds(max): 900V. Id(@25ºC): 5.8A. Puissance: 140W. Résistance Rds: 1.56 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Zéner-Protected.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP6NK90ZFP

6.94€ TTC

43 En stock

Transistor STP6NK90ZFP N-MOS+Z 900V 5.8A/23.2Ap. 30W 1.56R(3.65A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.8 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP75NF75

4.82€ TTC

140 En stock

Transistor STP75NF75 N-MOS 75V 80A 300W 0.0095R (70A). STripFETII POWER MOSFET. Drain Current (pulsed) IDM: 320App. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 80 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 70 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STP7NK80Z

9.18€ TTC

69 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 800V 5.2A 125W. Résistance passante RDSon : 1.5 Ohms(3.3A)

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Tarifs dégressifs

Transistor STP7NK80ZFP

6.05€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 5.2A. Référence d'origine constructeur: STP7NK80ZFP. Marquage boîtier: P7NK80ZFP. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 5.2A. Puissance: 30W. Résistance Rds: 1.5 Ohms. SuperMESH. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STP80NF06

6.33€ TTC

97 En stock

Transistor MOSFET canal-N 60V 80A/320Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (80A)

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STP80NF12

8.06€ TTC

5 En stock

Transistor MOSFET canal-N 120V 80A/320Ap. 300W. Résistance passante RDSon : 0.013 Ohms (60A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP80NF55-08

5.77€ TTC

14 En stock

Transistor STP80NF55-08 N-MOS 80V 55A 300W<0.0065R(57A). STripFETII POWER MOSFAT. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 80 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 57 A. Rds (Ohms): 0.0065.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STP80NF70

11.20€ TTC

77 En stock

Transistor MOSFET canal-N 68V 98A/392Ap. 190W. Résistance passante RDSon : 0.0098 Ohms (98A)

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P STP80PF55

5.38€ TTC

28 En stock

Transistor MOSFET canal-P 55V 80A/320Ap. 300W. Résistance passante RDSon : 0.016 Ohms (57A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP8NC70ZFP

14.62€ TTC

3 En stock

Transistor STP8NC70ZFP N-MOS+Z 700V 6.8A 40W<0.9R(4.3. PowerMESH. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 700 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.8 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 40 W

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Tarifs dégressifs

Transistor STP8NK80ZFP

5.77€ TTC

19 En stock

Transistor STP8NK80ZFP N-MOS+Z 800V 6.2A 30W<1.3R(3.9A). SuperMESH.. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP9NB60

18.26€ TTC

3 En stock

Transistor STP9NB60 N-MOS 600V 9A 125W <0.8R(5.7A). PowerMESH. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.8. Puissance: 125 W

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor STP5NK80Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 4.3A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 4.3A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 1.9 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

Transistor STP5NK80ZFP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 4.3A. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 4.3A. Puissance: 30W. Résistance Rds: 1.9 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

Transistor STP60NF06

Transistor STP60NF06 N-MOS 60V 60A 110W 0.014R(42A). STripFETII POWER MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. td(on):16nS. td(off):43nS (30A). Constructeur: ST. Boîtier: TO-220AB. VGS(th) 2...4V. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A.

Transistor STP60NF06L

Transistor STP60NF06L N-MOS 60V 60A 110W 0.014R(42A). STripFETII POWER MOSFET. td(on):35nS. td(off):55nS (30A). Constructeur: ST. Boîtier: TO-220 LowGataCharg. VGS(th) 1...2.5V. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A.

Transistor STP62NS04Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 62A. Marquage boîtier: P62NS04Z. Boîtier: TO-220. Id(@25ºC): 62A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 12.5 milliOhms. MESH OVERLAY Power MOSFET.

Transistor STP65NF06

Transistor STP65NF06 N-MOS 60V 60A/240Ap. 110W 0.0115R(42A). STripFETII Power MOSFET. Fast switch. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 42 A. Rds (Ohms): 0.011

Transistor STP6NK60Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 6A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 6A. Puissance: 104W. Résistance Rds: 1.2 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

Transistor STP6NK60ZFP

Transistor STP6NK60ZFP N-MOS+Z 600V 6A/24Ap. 32W 1R(3.8A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.8 A.

Transistor STP6NK90Z

Transistor STP6NK90ZFP

Transistor STP6NK90ZFP N-MOS+Z 900V 5.8A/23.2Ap. 30W 1.56R(3.65A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.8 A.

Transistor STP75NF75

Transistor STP75NF75 N-MOS 75V 80A 300W 0.0095R (70A). STripFETII POWER MOSFET. Drain Current (pulsed) IDM: 320App. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 80 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 70 A.

Transistor MOSFET canal-N STP7NK80Z

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée. 800V 5.2A 125W. Résistance passante RDSon : 1.5 Ohms(3.3A)

Transistor STP7NK80ZFP

Transistor MOSFET canal-N STP80NF06

Transistor MOSFET canal-N 60V 80A/320Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (80A)

Transistor MOSFET canal-N STP80NF12

Transistor MOSFET canal-N 120V 80A/320Ap. 300W. Résistance passante RDSon : 0.013 Ohms (60A)

Transistor STP80NF55-08

Transistor STP80NF55-08 N-MOS 80V 55A 300W<0.0065R(57A). STripFETII POWER MOSFAT. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 80 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 57 A. Rds (Ohms): 0.0065.

Transistor MOSFET canal-N STP80NF70

Transistor MOSFET canal-N 68V 98A/392Ap. 190W. Résistance passante RDSon : 0.0098 Ohms (98A)

Transistor MOSFET canal-P STP80PF55

Transistor MOSFET canal-P 55V 80A/320Ap. 300W. Résistance passante RDSon : 0.016 Ohms (57A)

Transistor STP8NC70ZFP

Transistor STP8NC70ZFP N-MOS+Z 700V 6.8A 40W<0.9R(4.3. PowerMESH. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 700 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.8 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 40 W

Transistor STP8NK80ZFP

Transistor STP8NK80ZFP N-MOS+Z 800V 6.2A 30W<1.3R(3.9A). SuperMESH.. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A.

Transistor STP9NB60

Transistor STP9NB60 N-MOS 600V 9A 125W <0.8R(5.7A). PowerMESH. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.8. Puissance: 125 W

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